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極短波長の光で回路パターンを転写する「EUV露光技術」 「7ナノ以下の半導体」の量産に必要不可欠な最先端技術 EUV(極端紫外線=Extreme Ultra Violet)は、半導体の微細化技術で用いられる光の一種。現在の最先端半導体の回路線幅は5 nm(ナノメートル、ナノは10億分の1メートル)まで進んでいるが、EUV露光という13.5nmと波長の短い光源を用いた回路転写技術を用いることで、理論上は3 nmまで細くできるとされる。線幅が細くなれば情報量を増やすことができ、同じ情報量なら小型化できることから、半導体各社はEUVに関する投資を活発化させている。 EUV（極端紫外線）関連銘柄一覧 ＥＵＶ向け露光の検査装置 レーザーテック＜6920＞ ＥＵＶのフォトマスク（回路原版） テクセンドフォトマスク＜429A＞ 半導体用マスクブランクス ＨＯＹＡ＜7741＞ ＡＧＣ＜5201＞ ＥＵＶレジスト原料 大阪有機化学工業＜4187＞ ＥＵＶ用光源装置 ウシオ電機＜6925＞
http://blog.livedoor.jp/chicago555/archives/66387511.html
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適時開示 2024年10月22日 13時24分
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